Test krzywej struny IV może dostarczyć następujących informacji:
1. Pomiary napięcia obwodu otwartego stringu (Voc) i prądu zwarcia (Isc).
2. Pomiary napięcia mocy maksymalnej (Vmpp), prądu (Impp) i mocy maksymalnej (Pmax).
3. Pomiar wydajności strun.
4. Pomiar współczynnika wypełnienia modułu/stringu.
5. Identyfikacja defektów modułu/ciągu lub problemów z cieniowaniem.
Przed przystąpieniem do badania krzywej IV należy sprawdzić urządzenie do badania krzywej IV, aby upewnić się, że ma ono odpowiednie parametry znamionowe dla napięcia i prądu badanego obwodu. Test krzywej IV jest akceptowalną alternatywą w celu uzyskania napięcia obwodu otwartego stringu (Voc) i prądu zwarcia (Isc). Jeżeli przeprowadza się badanie krzywej IV, nie są wymagane oddzielne badania Voc i Isc.
Testowany ciąg należy odizolować i podłączyć do urządzenia do badania krzywej IV. Jeżeli celem badania krzywej IV jest wyłącznie uzyskanie wartości Voc i Isc, wówczas nie ma wymogu pomiaru natężenia napromienienia (ani temperatury ogniwa).
Biorąc pod uwagę odpowiednie warunki natężenia napromieniowania, test krzywej IV umożliwia ocenę, czy wydajność ciągu/modułu fotowoltaicznego spełnia parametry znamionowe (na tabliczce znamionowej). Pomiary wydajności ciągów fotowoltaicznych i układów fotowoltaicznych przeprowadza się w stabilnych warunkach natężenia napromieniowania wynoszących co najmniej 400 W/m2, mierzonych w płaszczyźnie układu. Jeżeli pomiary mają odnosić się do STC (celem jest obliczenie mocy znamionowej modułów/układu z tabliczki znamionowej), natężenie promieniowania powinno wynosić co najmniej 800 W/m2 zgodnie z normą IEC60904-1 IEC 61829. Należy przestrzegać normy IEC 61829 (oprócz punktów wymienionych powyżej) w zakresie wymagań dotyczących sprzętu kontrolnego, procedury inspekcji, oceny, minimalnych warunków środowiskowych i raportowania wymaganych do przeprowadzenia badania krzywej IV na zewnątrz.